Sony планує освоїти випуск мікросхем пам`яті reram щільністю 16 гбіт в 2015 році

На нещодавньому заході Flash Memory Summit 2013 компанія Sony розповіла про свої плани комерціалізації розробок в області резистивной пам`яті з довільним доступом (ReRAM). Роботи в цьому напрямку японський виробник веде в співпраці з Micron Technology.

Sony планує освоїти випуск мікросхем пам`яті ReRAM щільністю 16 Гбіт в 2015 році

В даний час Sony позиціонує ReRAM як «пам`яті для пристроїв зберігання» (storage-class memory, SCM), яка не замінить флеш-пам`ять NAND, а заповнить нішу між нею і пам`яттю DRAM. Упор буде зроблений на зменшення обсягу пам`яті DRAM, використовуваної в великомасштабних корпоративних сховищах на базі NAND, а також на використанні ReRAM в споживчій електроніці, включаючи смартфони і планшети. Відзначимо, що для роботи з ReRAM потрібні власні контролери.

Sony планує освоїти випуск мікросхем пам`яті ReRAM щільністю 16 Гбіт в 2015 році


Серед достоїнств ReRAM - можливість випуску за передовими техпроцесами. За словами Sony, вже підтверджена можливість формування масиву осередків нової пам`яті в перетинах металевих електродів, розташованих під прямим кутом один до одного, з дотриманням технологічних норм близько 10 нм. Виробник уточнив, що перші мікросхеми будуть випускатися за нормами близько 20 нм.

Sony планує освоїти випуск мікросхем пам`яті ReRAM щільністю 16 Гбіт в 2015 році

Випуск мікросхем пам`яті ReRAM щільністю 16 Гбіт Sony планує освоїти в 2015 році. Залишається додати, що Sony - не єдиний виробник, який вірить в перспективи ReRAM




Увага, тільки СЬОГОДНІ!

» » Sony планує освоїти випуск мікросхем пам`яті reram щільністю 16 гбіт в 2015 році